Магазинов: 1, Цена: от 2947 руб. посмотреть все

В учебно-справочном руководстве проведен анализ возможностей, особенностей, ограничений и областей применения различных литографических и нелитографических методов наноструктурирования для создания топологии ИС с элементами субстонанометрового...

  Лабиринт - 2947 руб.

Список используемых сокращений
Введение
Глава 1. ОСНОВНЫЕ ОПРЕДЕЛЕНИЯ, РОЛЬ И МЕСТО
ПРОЦЕССОВ НАНОЛИТОГРАФИИ В
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ МАРШРУТАХ ПРОИЗВОДСТВА
ИНТЕГРАЛЬНЫХ ПРИБОРОВ, СХЕМ И СИСТЕМ С
СУБСТАНАНОМЕТРОВЫМИ ТОПОЛОГИЧЕСКИМИ
НОРМАМИ
1.1. Основные определения
1.2. Стадии и этапы технологического маршрута,
универсальный литографический цикл,
технологическая подготовка производства
1.3. Характеристики интегральных схем
1.4. Выход годных интегральных схем
Глава 2. ОСНОВНЫЕ ВИДЫ ПРОЦЕССОВ
НАНОЛИТОГРАФИИ, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В
ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ПРИБОРОВ, СХЕМ И
СИСТЕМ С СУБСТАНАНОМЕТРОВЫМИ
ТОПОЛОГИЧЕСКИМИ НОРМАМИ
2.1. Нанотехнологии, нанообъекты и наносистемы
2.2. Классификация процессов нанолитографии
2.3. Нелитографические методы получения
топологии наноструктур
2.4. Новые литографические методы получения
топологии наноструктур
Глава 3. ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ И ХИМИЧЕСКИЕ
ПРИНЦИПЫ И ОГРАНИЧЕНИЯ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ
ТЕХНИКИ (ТЕХНОЛОГИИ И ПРОЦЕССОВ)
ОПТИЧЕСКОЙ НАНОЛИТОГРАФИИ. БАЗОВЫЙ
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС СОВРЕМЕННОЙ
ФОТОЛИТОГРАФИИ
3.1. Контраст (контрастность) фоторезистов
3.2. Классификация процессов фотолитографии по
способам экспонирования топологического рисунка
фотошаблонов
3.3. Основные факторы, ограничивающие
разрешение проекционной фотолитографии
3.4. Когерентное и некогерентное освещение
3.5. Формирование и передача изображения
топологического рисунка фотошаблона в слой
фоторезиста
3.6. Разрешение оптической проекционной
фотолитографии
3.7. Основные характеристики систем
фотолитографии
Глава 4. ТЕХНИКА ПОВЫШЕНИЯ РАЗРЕШЕНИЯ
ПРОЦЕССОВ ОПТИЧЕСКОЙ НАНОЛИТОГРАФИИ И
ТЕНДЕНЦИИ ИХ РАЗВИТИЯ
4.1. Техника повышения разрешения
фотолитографического процесса
4.2. Международные прогнозы развития
литографии
4.3. Литография на экстремальном
ультрафиолетовом излучении (ЭУФ-литография)
4.4. Сравнительная стоимость и области
применения литографических систем
Глава 5. ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ И ХИМИЧЕСКИЕ
ПРИНЦИПЫ И ОГРАНИЧЕНИЯ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ
ТЕХНИКИ (ТЕХНОЛОГИИ И ПРОЦЕССОВ)
НАНОИМПРИНТ-ЛИТОГРАФИИ. БАЗОВЫЙ
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ МАРШРУТ И СОВРЕМЕННОЕ
ОБОРУДОВАНИЕ НАНОИМПРИНТ-ЛИТОГРАФИИ
5.1. Классификация процессов
наноимпринт-литографии
5.2. Технология формирования топологического
рисунка в наноштампе
5.3. Варианты процессов
S-FIL-наноимпринт-литографии
5.4. Промышленное оборудование
S-FIL-наноимпринт-литографии
Глава 6. ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ И ХИМИЧЕСКИЕ
ПРИНЦИПЫ И ОГРАНИЧЕНИЯ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ
ТЕХНИКИ (ТЕХНОЛОГИИ И ПРОЦЕССОВ)
ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИТОГРАФИИ. СОВРЕМЕННОЕ
ОБОРУДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИТОГРАФИИ
6.1. Проекционная электронная литография
6.2. Сканирующая электронная литография
6.3. Промышленные системы сканирующей
электронной литографии
6.4. Сканирующая многолучевая бесшаблонная
электронная литография
Глава 7. БАЗОВЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МАРШРУТЫ И
ОБОРУДОВАНИЕ УЧАСТКОВ НАНОЛИТОГРАФИИ.
ОПЕРАЦИОННЫЕ И
КОНСТРУКЦИОННО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
ОБОРУДОВАНИЯ. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ
ХАРАКТЕРИСТИКИ ОПЕРАЦИЙ НАНОЛИТОГРАФИИ И
ПАРАМЕТРЫ СТРУКТУР
7.1. Базовые технологические маршруты и
комплекты оборудования участков
нанолитографии
7.2. Параметры технологического оборудования
7.3. Технологические характеристики операций
нанолитографии при обработке пластин
(функциональных слоев на пластинах)
7.4. Параметры входных (поступающих на
операции нанолитографии) и выходных
(выходящих с операций нанолитографии) структур
7.5. Оборудование для нанесения, проявления и
термообработки слоев фоторезистов и
электронорезистов, а также адгезионных,
планаризирующих и антиотражающих покрытий
7.6. Оборудование совмещения топологии и
экспонирование слоев фоторезистов
7.7. Оборудование для реализации
вакуумно-плазменных процессов проявления,
зачистки, удаления и травления маскирующих
покрытий и функциональных слоев
7.8. Оборудование для контроля дефектности,
топологии и размеров элементов маскирующих
покрытий и функциональных слоев
Глава 8. ОСНОВНЫЕ КОМПЛЕКТУЮЩИЕ ИЗДЕЛИЯ И
МАТЕРИАЛЫ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В ОБОРУДОВАНИИ И
ТЕХНОЛОГИИ (ТЕХНИКЕ) НАНОЛИТОГРАФИИ, И
ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ К НИМ
8.1. Виды фотошаблонов, их структура и
технические требования к ним
8.2. Производство фотошаблонов
8.3. Структура наноштампов и технологический
процесс их изготовления
8.4. Основные материалы, используемые в
оборудовании и технологии нанолитографии
8.5. Фоторезисты, электронорезисты и
рентгенорезисты
8.6. Антиотражающие покрытия
Глава 9. ПРОЦЕССЫ И ОБОРУДОВАНИЕ
РАЗМЕРНОГО ТРАВЛЕНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ
СЛОЕВ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ МАРШРУТАХ
НАНОЛИТОГРАФИИ
9.1. Классификация процессов размерного
травления материалов
9.2. Спонтанное химическое травление материалов
9.3. Ионное травление материалов физическим
распылением
9.4. Ионное травление химически
модифицированным физическим распылением
материалов
9.5. Радиационно-стимулированное химическое
травление материалов
9.6. Радиационно-возбуждаемое химическое
травление материалов
9.7. Состав и параметры оборудования вакуумного
газоплазменного травления функциональных слоев
9.8. Влияние органических защитных масок на
технологические характеристики процессов
размерного вакуумного газоплазменного травления
функциональных слоев
Глава 10. ЗАКЛЮЧЕНИЕ. ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ
ПРОЦЕССОВ И ОБОРУДОВАНИЯ НАНОЛИТОГРАФИИ
10.1. Повышение энергетической эффективности
процессов и оборудования нанолитографии
10.2. Уменьшение количества литографических
операций в технологических процессах
производства интегральных наносхем и
наноприборов
10.3. Реализация интеграции новых процессов
нанолитографии
Литература