ВВЕДЕНИЕ1. КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ МАТЕРИАЛОВ ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ......61.1. Параметры и классификация кристаллических решёток......61.2. Энергетические зоны кристаллических структур......152. ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕОРИЯ ПОЛУГООВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ......222.1. Задача о распределении потенциалов в объёме кристалла......222.2. Кинетическое уравнение Больцмана и диффузия......252.2.1. Закон Фика......292.2.2. Общее решение кинетического уравнения......332.3. Основные механизмы
описывающие кинетические эффекты при переносе энергии носителей в объёме кристалла......362.3.1. Метод моментов......392.3.2. Дрейфово-диффузионная модель......432.3.3. Гидродинамическое приближение......482.3.4. Энергетический транспорт носителей заряда......552.3.5. Методы расширения......562.3.6. Расширение по типу сферических гармоник......562.3.7. Другие виды расширения и их применения......592.3.8. Методы
основанные на корпускулярных понятиях (метод частиц)......602.3.9. Метод Монте-Карло......613. ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКИЙ МЕТОД ПОЛУЧЕНИЯ УРАВНЕНИЙ СОХРАНЕНИЯ И ИХ АНАЛИЗ......653.1. Основные приближения и граничные условия......653.2. Варианты уравнений сохранения в разных частотных диапазонах......743.3. Квазимикроскопическая постановка нелинейной задачи при учете одного механизма рассеяния......783.4. Феноменологические уравнения колебаний подвижности и скорости дрейфа при сложном механизме рассеяния......804. ИССЛЕДОВАНИЕ ВКЛАДА ДИФФУЗИОННЫХ ПРОЦЕССОВ В ВЫХОДНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ОБЪЕМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ГОРЯЧИМИ НОСИТЕЛЯМИ......844.1. Основные соотношения для кинетической диффузионной модели......844.2. Методы описания микроскопических флуктуаций и диффузии......864.3. Спектральная плотность флуктуации тока и коэффициент диффузии......894.4. Междолинная и генерационно-рекомбинационная диффузия......934.5. Шумовая температура и парные столкновения......984.6. Экспериментальные методы измерения коэффициента диффузии горячих электронов......1034.6.1. Измерение расплывания первоначально локализованного пакета электронов......1034.6.2. Измерение спектральной плотности флуктуаций тока......1064.6.3. Измерение СВЧ-шумов......1074.6.4. Измерение ВЧ- шумов......1084.6.5. Эффекты
в которых проявляется диффузионный ток......1084.6.6. Определение коэффициента амбиполярной диффузии по расширению электронно-дырочного газа в полупроводнике......1104.6.7. Трёхуровневая модель стационарного коэффициента диффузии......1115. ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭФФЕКТИВНОЙ МАССЫ НОСИТЕЛЕЙ ДЛЯ НЕКОТОРЫХ СЛУЧАЕВ ДИСПЕРСИИ В РАЗЛИЧНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ......1185.1. Способы учёта энергозависимости эффективной массы горячих носителей в объёме полупроводников типа AIIIBV......1185.2. Выходные объёмные параметры полупроводников типа AIIIBV......1235.3. Дрейфово-диффузионна я модель процессов переноса и частотных преобразований в объёме полупроводников при воздействии сильных электрического и магнитного полей......128ЗАКЛЮЧЕНИЕ......139СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ......140