Воротынцев В., Базовые технологии микро- и наноэлектроники. Учебное пособие
Проспект, 2019 г., 978-5-392-25297-8,978-5-392-30308-3,978-5-392-28208-1
Наличие в интернет-магазинах
Описание книги
Учебное пособие разработано в соответствии с государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования по направлению подготовки дипломированных специалистов 11.04.04 \"Электроника и наноэлектроника\". Впервые технологии...
Купить эту книгу можно в интернет-магазинах
- 919 руб.
- 919 руб.
- 919 руб.
- 1152 руб.
Страница товара выбранного интернет-магазина откроется в новом табе
Поделиться ссылкой на книгу
Содержание книги
Глава 1
ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ
ПРОЦЕССОВ
ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ И
МАТЕРИАЛОВ
ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
1.1. Влияние степени чистоты на свойства
веществ.
Классификация веществ по степени их чистоты
1.2. Классификация исходных веществ и
материалов, применяемых
в производстве изделий микро- и наноэлектроники
1.3. Химические методы глубокой очистки
полупроводниковых материалов
1.4 Электрохимические методы синтеза летучих
неорганических гидридов
и фторидов для микроэлектроники
1.5. Дистилляционные методы глубокой очистки
летучих веществ
1.5.1. Распределение примесных компонентов
между жидкостью и паром. Перегонка
1.5.2. Теория процесса глубокой очистки веществ
методом ректификации
1.5.3. Ректификация при повышенном и
пониженном давлении. Вакуумная дистилляция
1.5.4. Хеморектификация. Влияние загрязняющего
действия
материала аппаратуры на процесс ректификации
1.5.5. Конструкции и режимы работы
ректификационных колонн
1.6. Кристаллизационные методы глубокой очистки
летучих веществ
1.6.1. Распределение примесного компонента в
системе "кристалл-расплав". Коэффициент
распределения
1.6.2. Направленная кристаллизация, зонная
перекристаллизация
1.6.3. Противоточная кристаллизация из расплава.
Сравнение с ректификацией
1.7 Базовые технологические схемы получения
высокочистых полупроводниковых материалов
1.7.1. Процесс получения поликристаллического
полупроводникового кремния
1.7.2. Технология получения хлорсиланов
1.7.3. Технология получения моносилана
1.8. Технология получения монокристаллов
полупроводникового кремния
1.9. Технология получения германия
1.10. Технология получения аммиака и структур
GaN для светодиодов
1.11. Технология получения исходных материалов
для волоконных светодиодов
Контрольные вопросы
Список рекомендуемой литературы
Глава 2
ТЕХНОЛОГИЯ АБРАЗИВНОЙ И ХИМИЧЕСКОЙ
ОБРАБОТКИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК
2.1. Классификация полупроводниковых
материалов
2.2. Основные требования к полупроводниковым
материалам и подложкам
2.2.1. Полупроводниковые материалы в
электронной технике
2.2.2. Требования к полупроводниковым
подложкам
2.3. Методы исследования и контроля качества
подложек
2.3.1. Контроль кристаллографических и
геометрических
параметров подложек
2.3.2. Методы исследования и контроля
структурно нарушенных
слоев полупроводников
2.4. Технологические процессы получения
полупроводников
в микроэлектронике
2.4.1. Резка полупроводников на пластины
2.4.2. Шлифование пластин свободным и
связанным абразивом
2.4.3. Полирование полупроводниковых пластин
2.5. Химическое травление и полирование
полупроводников
2.5.1. Общие положения. Классификация методов
химического травления
2.5.2. Составы травителей, кинетика и механизмы
растворения нанокристаллов
2.5.3. Механизм химического полирования
поверхности полупроводников
2.5.4. Влияние химического травления на
геометрические
параметры пластин
2.5.5. Устройства для химического травления и
полирования
пластин полупроводников
2.5.6. Химическое травление и полирование
кремния и германия
2.5.7. Химическое травление и полирование
соединений А3В5
2.5.8. Химическое травление и полирование
соединений А2В6
2.5.9. Анизотропное травление и полирование
полупроводниковых монокристаллов
Приложение
Контрольные вопросы
Список рекомендуемой литературы
Глава 3 БАЗОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ
ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР
3.1. Методы газофазной эпитаксии
3.2. Особенности метода жидкофазной эпитаксии
кремния
3.2.1. Жидкофазная эпитаксия кремния в
производстве полупроводниковых приборов
3.2.2. Способы реализации процесса жидкофазной
эпитаксии кремния
3.2.3. Расплавы для жидкофазной эпитаксии
кремния
3.2.4. Основные закономерности кинетики процесса
жидкофазной эпитаксии кремния
3.2.5. Особенности аппаратурного оформления
процесса жидкофазной эпитаксии кремния
3.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия - метод
изготовления полупроводниковых структур
3.4. Осаждение диэлектрических слоев
3.4.1. Окисление кремния
3.4.2. Технология формирования пленок Si3N4,
поли-Si, SiC А12O3
3.5. Основы литографических процессов
3.5.1. Фотолитофафия
3.5.2. Электронно-лучевая литография
3.5.3. Рентгеновская литография
3.5.4. Ионно-лучевая литофафия
3.5.5. Перспективы развития литографии
3.6. Диффузионное легирование полупроводников
3.6.1. Физические основы диффузии
3.6.2. Практически важные решения второго
закона диффузии
3.6.3. Способы определения параметров диффузии
3.6.4. Некоторые особенности диффузии в
полупроводниках
3.6.5. Технология диффузионных процессов
3.7. Ионно-лучевое легирование полупроводников
3.7.1. Основы метода ионной имплантации
3.7.2. Дефектообразование при ионном
легировании
3.7.3. Диффузия примесей из
ионно-имплантированных слоев
3.8. Осаждение тонких пленок
3.8.1. Осаждение пленок в вакууме
3.8.2. Ионное (катодное), ионно-плазменное,
магнетронное
и ионно-термическое распыление
3.9. Формирование структур со слоями пористого
кремния
3.9.1. Технология получения пористого кремния
3.9.2. Свойства пористого кремния и его
практическое применение
3.10. Специальные радиационно-термические
обработки в технологии изготовления электронных
структур
Глава 4
СТРУКТУРЫ "КРЕМНИЙ НА ДИЭЛЕКТРИКЕ"
И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
4.1. Структуры "кремний на сапфире" (КНС)
4.2. Структуры "кремний на изоляторе" (КНИ)
Контрольные вопросы
Список рекомендуемой литературы
Глава 5 ФИЗИЧЕСКИЕ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ
ОСНОВЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
5.1 Основные положения квантового описания
низкоразмерных твердотельных композиции
5.2 Особенности технологий формирования
низкоразмерных твердотельных
композиции
5.2.1. Основные технологические методы
создания функциональных элементов
наноэлектроники
5.2.2. Образование квантоворазмерных структур
вследствие самоорганизации
5.3.3. Микро- и нанотехнологии в производстве
микросистемной техники.
Контрольные вопросы
Список рекомендуемой литературы
Глава 6
СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ В МАТЕРИАЛАХ -
КОМПОНЕНТАХ ПРИБОРНЫХ КОМПОЗИЦИЙ
6.1. Классификация дефектов в кристаллах
6.2. Термодинамически равновесные собственные
точечные дефекты
в кристаллах
6.3. Комплексы точечных дефектов
6.4. Теоретические и экспериментальные оценки
энергии образования СТД
6.4.1. Модель жестких межатомных связей
6.4.2. Модель полости в жесткой среде
6.4.3. Модель полости в упругой среде
6.4.4. Особенности энергетических характеристик
СТД в металлах
и полупроводниках
6.5. Кинетика восстановления равновесной
концентрации СТД
6.6. Дислокационная структура кристаллов
6.6.1/ Основные определения
6.6.2. Дислокации в структурах алмаза и
сфалерита
6.6.3. Собственная упругая энергия дислокаций
6.6.4. Взаимодействие дислокаций между собой и
другими типами дефектов..
6.6.5. Образование и движение дислокаций
6.7. Микродефекты в бездислокационных
кристаллах
6.8. Дефектообразование в приборных структурах
при проведении базовых технологических
операций
6.8.1. Рост кристаллов
6.8.2. Изготовление подложек
6.8.3. Эпитаксиальное наращивание
6.8.4. Окисление и диффузия
6.8.5. Ионная имплантация
6.9. Геттерирование фоновых примесей и
протяженных дефектов
Контрольные вопросы
Список рекомендуемой литературы
ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ
ПРОЦЕССОВ
ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ И
МАТЕРИАЛОВ
ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
1.1. Влияние степени чистоты на свойства
веществ.
Классификация веществ по степени их чистоты
1.2. Классификация исходных веществ и
материалов, применяемых
в производстве изделий микро- и наноэлектроники
1.3. Химические методы глубокой очистки
полупроводниковых материалов
1.4 Электрохимические методы синтеза летучих
неорганических гидридов
и фторидов для микроэлектроники
1.5. Дистилляционные методы глубокой очистки
летучих веществ
1.5.1. Распределение примесных компонентов
между жидкостью и паром. Перегонка
1.5.2. Теория процесса глубокой очистки веществ
методом ректификации
1.5.3. Ректификация при повышенном и
пониженном давлении. Вакуумная дистилляция
1.5.4. Хеморектификация. Влияние загрязняющего
действия
материала аппаратуры на процесс ректификации
1.5.5. Конструкции и режимы работы
ректификационных колонн
1.6. Кристаллизационные методы глубокой очистки
летучих веществ
1.6.1. Распределение примесного компонента в
системе "кристалл-расплав". Коэффициент
распределения
1.6.2. Направленная кристаллизация, зонная
перекристаллизация
1.6.3. Противоточная кристаллизация из расплава.
Сравнение с ректификацией
1.7 Базовые технологические схемы получения
высокочистых полупроводниковых материалов
1.7.1. Процесс получения поликристаллического
полупроводникового кремния
1.7.2. Технология получения хлорсиланов
1.7.3. Технология получения моносилана
1.8. Технология получения монокристаллов
полупроводникового кремния
1.9. Технология получения германия
1.10. Технология получения аммиака и структур
GaN для светодиодов
1.11. Технология получения исходных материалов
для волоконных светодиодов
Контрольные вопросы
Список рекомендуемой литературы
Глава 2
ТЕХНОЛОГИЯ АБРАЗИВНОЙ И ХИМИЧЕСКОЙ
ОБРАБОТКИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК
2.1. Классификация полупроводниковых
материалов
2.2. Основные требования к полупроводниковым
материалам и подложкам
2.2.1. Полупроводниковые материалы в
электронной технике
2.2.2. Требования к полупроводниковым
подложкам
2.3. Методы исследования и контроля качества
подложек
2.3.1. Контроль кристаллографических и
геометрических
параметров подложек
2.3.2. Методы исследования и контроля
структурно нарушенных
слоев полупроводников
2.4. Технологические процессы получения
полупроводников
в микроэлектронике
2.4.1. Резка полупроводников на пластины
2.4.2. Шлифование пластин свободным и
связанным абразивом
2.4.3. Полирование полупроводниковых пластин
2.5. Химическое травление и полирование
полупроводников
2.5.1. Общие положения. Классификация методов
химического травления
2.5.2. Составы травителей, кинетика и механизмы
растворения нанокристаллов
2.5.3. Механизм химического полирования
поверхности полупроводников
2.5.4. Влияние химического травления на
геометрические
параметры пластин
2.5.5. Устройства для химического травления и
полирования
пластин полупроводников
2.5.6. Химическое травление и полирование
кремния и германия
2.5.7. Химическое травление и полирование
соединений А3В5
2.5.8. Химическое травление и полирование
соединений А2В6
2.5.9. Анизотропное травление и полирование
полупроводниковых монокристаллов
Приложение
Контрольные вопросы
Список рекомендуемой литературы
Глава 3 БАЗОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ
ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР
3.1. Методы газофазной эпитаксии
3.2. Особенности метода жидкофазной эпитаксии
кремния
3.2.1. Жидкофазная эпитаксия кремния в
производстве полупроводниковых приборов
3.2.2. Способы реализации процесса жидкофазной
эпитаксии кремния
3.2.3. Расплавы для жидкофазной эпитаксии
кремния
3.2.4. Основные закономерности кинетики процесса
жидкофазной эпитаксии кремния
3.2.5. Особенности аппаратурного оформления
процесса жидкофазной эпитаксии кремния
3.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия - метод
изготовления полупроводниковых структур
3.4. Осаждение диэлектрических слоев
3.4.1. Окисление кремния
3.4.2. Технология формирования пленок Si3N4,
поли-Si, SiC А12O3
3.5. Основы литографических процессов
3.5.1. Фотолитофафия
3.5.2. Электронно-лучевая литография
3.5.3. Рентгеновская литография
3.5.4. Ионно-лучевая литофафия
3.5.5. Перспективы развития литографии
3.6. Диффузионное легирование полупроводников
3.6.1. Физические основы диффузии
3.6.2. Практически важные решения второго
закона диффузии
3.6.3. Способы определения параметров диффузии
3.6.4. Некоторые особенности диффузии в
полупроводниках
3.6.5. Технология диффузионных процессов
3.7. Ионно-лучевое легирование полупроводников
3.7.1. Основы метода ионной имплантации
3.7.2. Дефектообразование при ионном
легировании
3.7.3. Диффузия примесей из
ионно-имплантированных слоев
3.8. Осаждение тонких пленок
3.8.1. Осаждение пленок в вакууме
3.8.2. Ионное (катодное), ионно-плазменное,
магнетронное
и ионно-термическое распыление
3.9. Формирование структур со слоями пористого
кремния
3.9.1. Технология получения пористого кремния
3.9.2. Свойства пористого кремния и его
практическое применение
3.10. Специальные радиационно-термические
обработки в технологии изготовления электронных
структур
Глава 4
СТРУКТУРЫ "КРЕМНИЙ НА ДИЭЛЕКТРИКЕ"
И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
4.1. Структуры "кремний на сапфире" (КНС)
4.2. Структуры "кремний на изоляторе" (КНИ)
Контрольные вопросы
Список рекомендуемой литературы
Глава 5 ФИЗИЧЕСКИЕ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ
ОСНОВЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
5.1 Основные положения квантового описания
низкоразмерных твердотельных композиции
5.2 Особенности технологий формирования
низкоразмерных твердотельных
композиции
5.2.1. Основные технологические методы
создания функциональных элементов
наноэлектроники
5.2.2. Образование квантоворазмерных структур
вследствие самоорганизации
5.3.3. Микро- и нанотехнологии в производстве
микросистемной техники.
Контрольные вопросы
Список рекомендуемой литературы
Глава 6
СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ В МАТЕРИАЛАХ -
КОМПОНЕНТАХ ПРИБОРНЫХ КОМПОЗИЦИЙ
6.1. Классификация дефектов в кристаллах
6.2. Термодинамически равновесные собственные
точечные дефекты
в кристаллах
6.3. Комплексы точечных дефектов
6.4. Теоретические и экспериментальные оценки
энергии образования СТД
6.4.1. Модель жестких межатомных связей
6.4.2. Модель полости в жесткой среде
6.4.3. Модель полости в упругой среде
6.4.4. Особенности энергетических характеристик
СТД в металлах
и полупроводниках
6.5. Кинетика восстановления равновесной
концентрации СТД
6.6. Дислокационная структура кристаллов
6.6.1/ Основные определения
6.6.2. Дислокации в структурах алмаза и
сфалерита
6.6.3. Собственная упругая энергия дислокаций
6.6.4. Взаимодействие дислокаций между собой и
другими типами дефектов..
6.6.5. Образование и движение дислокаций
6.7. Микродефекты в бездислокационных
кристаллах
6.8. Дефектообразование в приборных структурах
при проведении базовых технологических
операций
6.8.1. Рост кристаллов
6.8.2. Изготовление подложек
6.8.3. Эпитаксиальное наращивание
6.8.4. Окисление и диффузия
6.8.5. Ионная имплантация
6.9. Геттерирование фоновых примесей и
протяженных дефектов
Контрольные вопросы
Список рекомендуемой литературы
Об авторе
Последние поступления в рубрике "Тематика определяется"
 |
Алиса Селезнева. Сто лет тому вперед Булычев Б.
Третья планета от солнца готова услышать голоса новых героев! Повесть Кира Булычёва «Сто лет тому вперёд» озвучили актёры Марк Эйдельштейн (он же сыграл Колю Герасимова в экранизации 2024 года) и Дарья Савичева (сериал «Беспринципные»). Шестиклассник Коля вдруг обнаруживает в обычной московской квартире машину времени.... |
 |
Странная история доктора Джекила и мистера Хайда Стивенсон Л.У.
Читает Алена Долецкая! Одно из первых произведений в жанре научной фантастики: мрачная готическая повесть о раздвоении личности и тёмной изнанке человеческой души. Генри Джекил, уважаемый в обществе врач и ученый, поставил неудачный эксперимент и материализовал тёмную часть своей личности.... |
 |
Этика Спиноза С.
Бенедикт Спиноза – основополагающая, веховая фигура в истории мировой философии. Учение Спинозы продолжает начатые Декартом революционные движения мысли в европейской философии, отрицая ценности былых веков, средневековую религиозную догматику и непререкаемость авторитетов.... |
Если Вы задавались вопросами "где найти книгу в интернете?", "где купить книгу?" и "в каком книжном интернет-магазине нужная книга стоит дешевле?", то наш сайт именно для Вас. На сайте книжной поисковой системы Книгопоиск Вы можете узнать наличие книги Воротынцев В., Базовые технологии микро- и наноэлектроники. Учебное пособие в интернет-магазинах. Также Вы можете перейти на страницу понравившегося интернет-магазина и купить книгу на сайте магазина. Учтите, что стоимость товара и его наличие в нашей поисковой системе и на сайте интернет-магазина книг может отличаться, в виду задержки обновления информации.
